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第56章 第二阶段开始（第1页）

两日后，申城微电子，35人的专家团队再次聚齐，他们来自华科院、京大、清大、航天院、光机所……

廖锡昌端坐讲台中央，翻看着眼前的文件，这是专项研究小组申城这边的工作报告，主要负责EUV光刻机工件台移动及测控系统，有申城微电子的经验加成，工作进展并未遇到太大的难题，工件台硬件部分国产化替代16%，测控系统并未有太大的改动，基本照搬，这部分主要还是靠后期，现在设备都未组装，控制还谈不上。

“同志们，接近两个月时间，在设备组、计算组、自研组，光学组、材料组以及相关部门全力以赴情况下，专项小组在各方面都取得了一定的进展，特别是光学组成功完成了世界首枚光滑度为0.019纳米镜片，为我们接下来的工作打下了良好的基础。”

“接下来进入我们的第二阶段，光源制造……”

路阳坐在台下，翻看着手中的资料，攻克小组计划分5步完成EUV光刻机的制造，成功后再考虑国产化替代。

第一步，解决EUV光刻机的镜片问题；

第二步，解决光刻机的光源问题，这部分需要激光器制造出超过20KW的光源，并设计出一套激光系统。

这个系统的工作原理是通过锡发生器每秒钟射出5万滴锡珠，同时发射波长13.5nm的EUV光，然后收集光通过反射镜将其输送到光刻上，对晶圆进行雕刻。

为了使锡珠产生电离态的激光脉冲，需要设计一套激光放大器，然后在五个放大阶段中将一个微弱的激光脉冲提升一万次，输出超过3万瓦的平均脉冲功率。

这个激光器为二氧化碳激光器，被认定是通过激光生成等离子体从而产生极深紫外（euv）的最佳工具，二氧化碳激光器相较于其他的激光器能提供10.6um单个波长光学质量近乎完美且高速相同的脉冲，具有半导体工业所需要的清洁度、精度和可重复性。

第三步，曝光系统及物镜系统，解决极紫外光极易被吸收的问题，原理就是利用镜片位置调试，通过多次反射获得稳定的，均匀的，可持续的极紫外光。

第四步，超精密工件台，这是光刻机产品平台的核心子系统，承载晶圆在光刻过程中实现高速超精密的步进扫描运动，成本占到整个光刻机的10%-20%。工件台要求在高速运动下达到2nm（相当于头发丝直径的四万分之一）的运动精度。

第五步，EUV光刻机的组装，所有零件加起来超过10万个以上，而且都是高精尖工艺，设备组加上华荣投资那边直到现在都还没购置齐全，有些只能通过国产化改造替代。

尽管身怀系统，但路阳对EUV是否能成功制造，并无太大的把握，专家组这边预估的时间是2两年，而路阳却希望在一年内完成，2019年贸易冲突后，基本不可能再采购到对应的零部件，10万多个部件，5000多家供应商，每家供应商就算只是一条生产线，哪怕有成熟技术，要把部件成功制造出来，耗时肯定会更长。

廖老洪亮的声音持续着：“这次计算组的工作量非常庞大，我们的光源跟资料上的并非一致，所以需要新的模型来计算，液态锡每秒5000滴匀速下落，激光束准确打击5000次，必须通过严格的控制与计算配合。”

“另外，光学组的反射方案也多做几套预案，我已经让人参考做出实验的软件，大家多配合，光源部分也要做好充分的准备，现在只是稳定在20KW并不保险，希望你们能提高到25KW的稳定输出。”

“元旦节前，我们的实验机必须完成组装，所以，同志们，我们不光任务重，时间也紧！就在前几天，SEMI（国际半导体产业协会）就接到了几家企业对苏硅半导体的侵权投诉，要求检查！”

廖老拍拍桌子，“各位，这才只是45纳米，他们就开始有了动作，要是我们能够冲击高端制程，那又是怎么样的一个局面。”

芯片的工艺制程级别划分为精密制程、高端制程和低端制程。

精密制程是在13纳米以下的制程，比如说9纳米，7纳米，5纳米，最精密的是3纳米；

高端制程介于13纳米至28纳米之间的，属于高端制程；

28纳米以上的制程为低端制程，比如130纳米，90纳米的制程。

“所以，我们要准备好，如果SEMI开始实施制裁，我们又该如何？”

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